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CMOS反相器的工艺模拟

发布时间:2014-07-01
  CMOS工艺具有工艺简单,成本低廉,功耗较低的优点,因此CMOS工艺已成为集成电路的主流工艺。而CMOS反相器作为一种基本的数字逻辑功能单元,广泛应用于各类CMOS数字电路中。因此,充分认识CMOS反相器的工艺也变得尤为重要。本实验运用半导体工艺仿真软件,完成了使用TSUPREM4进行CMOS反相器的工艺模拟,并提取杂质分布参数。可以起到巩固专业知识、追踪学科前沿、开拓学生思维的重要作用。

实验过程
步骤一:编写CMOS反相器工艺模拟的程序,运行二维半导体器件仿真软件TSUPREM4;
步骤二:调用掩模版文件,完成CMOS反相器的工艺模拟,包括N阱注入与推进、有源区形成、晶体管隔离、场区氧化、淀积多晶硅栅和栅氧化、源漏注入、接触孔制作、金属淀积与图形化等步骤;
步骤三:编写提取杂质分布参数的程序,分别提取出NMOS和PMOS沟道杂质分布参数。


功能和效果

  本项目的功能是通过运用二维工艺仿真工具TSUPREM4,完成CMOS反相器的工艺模拟,提取了杂质分布参数。本实验项目巩固了《半导体物理》、《半导体器件物理》、《集成电路工艺设计》、《集成电路版图设计》、《微电子器件设计》等五门课程的相关内容。此外,本实验项目可以使学生了解半导体器件制造的工艺流程,不但开拓了视野,而且激发了学生对专业的兴趣。