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SOI功率器件势场计算

发布时间:2014-07-01
  SOI功率器件因其优异的性能在功率集成电路和单片功率系统中具有广泛一应用前景。但同时器件的失效问题日益严重,考虑器件的击穿电压已经成为优化器件设计的一个非常重要的因素,而SOI横向功率器件漂移区表面电场分布显著影响了器件的击穿特性,因此对SOI横向功率器件漂移区表面势场进行研究显得尤为重要。本实验使用自制的SOI功率器件势场计算工具,开展不同偏置条件下不同结构SOI横向功率器件漂移区的二维电场和电势分布的计算,对不同模型的结果进行对比分析。可以起到巩固专业知识、追踪学科前沿、开拓学生思维的重要作用。

实验过程
步骤一:在SOI功率器件势场计算工具中输入结构参数, 并输入不同的偏置电压,完成不同偏置条件下SOI横向功率器件漂移区的二维电场和电势分布的计算。分析偏置电压对SOI横向功率器件漂移区的二维电场和电势分布的影响;
步骤二:在SOI功率器件势场计算工具中输入不同的结构参数,完成不同结构参数下SOI横向功率器件漂移区的二维电场和电势分布的计算。分析不同结构参数对SOI横向功率器件漂移区的二维电场和电势分布的影响;
步骤三:在SOI功率器件势场计算工具中选择不同的模型,完成不同模型下SOI横向功率器件漂移区的二维电场和电势分布的计算并对不同模型的结果进行对比分析。
功能和效果
  本项目的功能是使用自制的SOI功率器件势场计算工具,开展不同偏置条件下不同结构SOI横向功率器件漂移区的二维电场和电势分布的计算,对不同模型的结果进行对比分析。本实验项目巩固了《半导体物理》、《半导体器件物理》、《功率半导体器件》、《微电子器件设计》等六门课程的相关内容。此外,本实验体现了半导体器件技术,尤其是功率器件技术的最新发展前沿,可以使学生了解微电子专业领域的最新研究进展,不但开拓了视野,而且激发了学生对专业的兴趣。

实验视频