您的位置:新闻>>详细信息

FinFET器件特性的三维模拟与仿真

发布时间:2014-07-01
  FinFET结构自1999年被胡正明教授提出后,经过十几年的研究和发展,当前已经成为深亚微米CMOS集成电路的主流器件结构。本实验使用三维器件仿真工具DAVINCI,模拟了FinFET晶体管的栅特性和输出特性。本实验可以开拓学生的视野,有利于学生掌握本领域最新的技术进展。

实验过程 
步骤一:编写FinFET晶体管的模拟程序,运行三维器件仿真工具DAVINCI;
步骤二:编写FinFET晶体管栅特性的模拟程序,并运行程序,输出其栅特性曲线;

步骤三:编写FinFET晶体管输出特性的模拟程序,并运行程序,输出其输出特性曲线;



功能和效果
  本项目的功能是通过使用三维器件仿真工具DAVINCI,模拟FinFET晶体管栅特性和输出特性。本实验项目巩固了《半导体物理》、《半导体器件物理》、《微电子器件设计》、《新型微电子器件》等课程的相关内容。此外,本实验项目来源于国家级科研课题,不但可以使学生了解微电子专业领域的最新研究进展,还开拓了学生的视野,激发了学生对专业的兴趣。