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SOI NMOS晶体管的自热效应模拟

发布时间:2014-07-01
SOI技术因其良好的性能,被誉为21世纪的硅集成技术。但是由于埋氧层的热导率非常低,导致器件的自热效应非常明显。本实验使用器件仿真工具DAVINCI,模拟考虑点阵加热效应时的NMOS晶体管漏特性,分析其负阻效应产生的原因。本实验可以巩固学生的专业知识,完善学生的知识体系,充分提高学生的实践和创新能力。

实验过程
步骤一:编写SOI NMOS结构的模拟程序,运行器件仿真工具DAVINCI;
步骤二:导入SOI NMOS器件结构文件,编写考虑点阵加热效应时NMOS晶体管漏特性的模拟程序。
步骤三,基于三维器件仿真工具DAVINCI,模拟考虑点阵加热效应时NMOS晶体管漏特性,分析和探讨其负阻效应产生的原因;


功能和效果

本项目的功能是通过使用器件仿真工具DAVINCI,模拟考虑点阵加热效应时的NMOS晶体管漏特性,分析其负阻效应产生的原因。本实验项目巩固了《半导体物理》、《半导体器件物理》、《微电子器件设计》等课程的相关内容,激发了学生对专业的兴趣。

实验视频