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NMOS晶体管热击穿特性模拟仿真

发布时间:2014-07-01

  MOS晶体管自从进入集成电路制造行业,通过不断的发展,至今已成为工业中最重要的电子器件之一,当前MOS集成电路已经占据了整个集成电路市场的95%。随着集成度的提高,器件的自热效应越来越严重,从而更容易引起电路的失效。本实验使用器件仿真工具DAVINCI,考虑自热效应,模拟NMOS热击穿特性。本实验可以充分提高学生的实践和创新能力,提升在后续工作和科研过程中正确的分析和解决实际问题的能力。


实验过程
步骤一:编写NMOS结构的模拟程序,运行器件仿真工具DAVINCI;
步骤二:导入NMOS晶体管的结构文件,考虑自热效应,编写NMOS晶体管热击穿特性的模拟程序。
步骤三:利用三维器件仿真工具DAVINCI,模拟NMOS晶体管的热击穿特性,并探讨该器件的击穿原理;


功能和效果

本项目的功能是通过使用器件仿真工具DAVINCI,考虑自热效应,模拟NMOS热击穿特性。本实验项目巩固了《半导体物理》、《半导体器件物理》、《微电子器件设计》等课程的相关内容,激发了学生对专业的兴趣。


实验视频