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NMOS晶体管雪崩击穿特性模拟仿真

发布时间:2014-07-01

  MOS晶体管自从进入集成电路制造行业,通过不断的发展,至今已成为工业中最重要的电子器件之一,当前MOS集成电路已经占据了整个集成电路市场的95%。MOS电路的失效机理之一是高外加偏压引起的雪崩击穿。本实验使用器件仿真工具DAVINCI,利用碰撞电离模型,模拟NMOS雪崩击穿特性。本实验可以巩固学生的专业知识,充分提高学生的实践和创新能力。


实验过程
步骤一:编写NMOS结构的模拟程序,运行器件仿真工具DAVINCI;
步骤二:导入NMOS晶体管的结构文件,基于碰撞电离模型,编写NMOS晶体管击穿特性的模拟程序;
步骤三:利用三维器件仿真工具DAVINCI,模拟NMOS晶体管的雪崩击穿特性,并探讨该器件的击穿原理;

功能和效果

本项目的功能是通过使用器件仿真工具DAVINCI,利用碰撞电离模型,模拟NMOS雪崩击穿特性。本实验项目巩固了《半导体物理》、《半导体器件物理》、《微电子器件设计》等课程的相关内容,激发了学生对专业的兴趣。


实验视频